FQP2N60C, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2A TO-220
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
87,45 руб.
-
13+ 58+ 116+ 1000+99,26 ₽ 94,54 ₽ 92,96 ₽ 87,45 ₽Срок:7 днейНаличие:1 000Минимум:Мин: 13Количество в заказ
-
15+99,39 ₽Срок:7 днейНаличие:50Минимум:Мин: 15Количество в заказ
Технические параметры
Описание FQP2N60C
FQP2N60C является N-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® 600В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология была специально разработана для минимизации сопротивления в активном состоянии и обеспечения превосходных коммутационных характеристик и стойкости к высоким импульсам энергии в лавинном и коммутационном режимах. Это устройство хорошо подходит для высокоэффективных импульсных источников питания, активной коррекции коэффициента мощности и электронного балласта на базе полумостовой топологии. Этот продукт является универсальным и подходит для различных применений.
• Низкий заряд затвора
• Лавинное тестирование 100%
• Повышенная надежность системы в топологиях PFC и мягкой коммутации
• Улучшение потерь коммутации
• Более низкие потери проводимости
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.7 ом при 1a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 54 |
| Крутизна характеристики, S | 5 |
| Корпус | to220ab |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 |
| Вес, г | 2.5 |
