CIG22L4R7MNE, ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 4.7мкГн ±20% 1МГц феррит 1.1A 110мОм 1008 лента на катушке
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 4.7uH 20% 1MHz Ferrite 1.1A 110mOhm DCR 1008 T/R
ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 4.7мкГн ±20% 1МГц феррит 1.1A 110мОм 1008 лента на катушке
ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 4.7мкГн ±20% 1МГц феррит 1.1A 110мОм 1008 лента на катушке
Производитель:
Samsung Semiconductor
Артикул:
CIG22L4R7MNE
Технические параметры
-
Нормоупаковка3000 шт.
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара