CSD25213W10, Полевой транзистор P-канальный 20В 1.6A 4-Pin DSBGA лента на катушке
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
CSD25213W10
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET P-CH 20V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
4-DSBGA (1x1)
Цена от:
0,00 руб.
Нет в наличии
Описание CSD25213W10
| Серия | CSD25213W10 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 1 mm |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 1.100 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 0.62 mm |
| Ширина | 1 mm |
| Упаковка / блок | DSBGA-4 |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.6 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 67 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 6 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 850 mV |
| Qg - заряд затвора | 2.2 nC |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Время спада | 970 ns |
| Время нарастания | 520 ns |
| Типичное время задержки выключения | 1 us |
| Типичное время задержки при включении | 510 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка CSD25213W10 , Полевой транзистор P-канальный 20В 1.6A 4-Pin DSBGA лента на катушке
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
от 1 раб. дня
от 145 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара