2SK1530, Полевой транзистор, N-канальный, 200В 12А 150Вт
Обновлен Date Code. Проверено
Field-effect transistor, N-channel, 200V 12A 150W
Полевой транзистор, N-канальный, 200В 12А 150Вт
Полевой транзистор, N-канальный, 200В 12А 150Вт
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
2SK1530
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-264
-
Тип упаковкиBulk (россыпь)
-
Нормоупаковка10 шт.
-
Вес брутто10 г.
Описание 2SK1530
Характеристики
Структура | n-канал |
---|---|
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | - |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
Крутизна характеристики, S | 5 |
Корпус | to3b |
Пороговое напряжение на затворе | 2.8 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара