IRF8721TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14А 2.5Вт
Наименование:
IRF8721TRPBF
Описание Eng:
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
В упаковке:
4000 шт
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14А
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
34,04 ₽
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 80+ 159+ 318+ 636+46,30 ₽ 41,97 ₽ 38,78 ₽ 36,25 ₽ 34,04 ₽Срок:В наличииНаличие:2 488Минимум:7Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 80+ 159+ 318+ 636+46,30 ₽ 41,97 ₽ 38,78 ₽ 36,25 ₽ 34,04 ₽Срок:В наличииНаличие:50Минимум:2Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Показать аналоги
Технические параметры
Описание IRF8721TRPBF
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Continuous Drain Current | 14 A |
| Package Type | SOIC |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Width | 4mm |
| Forward Transconductance | 27s |
| Height | 1.5mm |
| Dimensions | 5 x 4 x 1.5mm |
| Transistor Material | Si |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 5mm |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Turn-On Delay Time | 8.2 ns |
| Brand | Infineon |
| Typical Turn-Off Delay Time | 8.1 ns |
| Series | HEXFET |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.35V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.35V |
| Maximum Drain Source Resistance | 12.5 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Pin Count | 8 |
| Category | Power MOSFET |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8.3 nC @ 4.5 V |
| Channel Mode | Enhancement |
| Typical Input Capacitance @ Vds | 1040 pF @ 15 V |
| Channel Type | N |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Forward Diode Voltage | 1V |
| Вес, г | 0.15 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Разрешительная документация
Товар не подлежит обязательной сертификации и декларированию.
Аналоги и возможные замены
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IRF8721TRPBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14А 2.5Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 266 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2334 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара