IRF8721TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14А 2.5Вт

Name: IRF8721TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14А 2.5Вт
Brand: Infineon Technologies
SKU: 386799
Availability: InStock

Код товара: 386799

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:

IRF8721TRPBF

Производитель:

Описание Eng:

MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Тип упаковки:

Tape and Reel (лента в катушке)

Нормоупаковка:

4000 шт

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

14А

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Все характеристики
Документация и сертификаты
Описание

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: 2SDnjd2zp9c

Показать аналоги

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

30В

Ток стока макс.

14А

Мощность макс.

2.5Вт

Тип транзистора

N-канальный

Тип монтажа

Surface Mount

Вес брутто

0.02 г.

Подобрать похожие

Описание IRF8721TRPBF

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Continuous Drain Current	14 A
Package Type	SOIC
Maximum Power Dissipation	2.5 W
Mounting Type	Surface Mount
Width	4mm
Forward Transconductance	27s
Height	1.5mm
Dimensions	5 x 4 x 1.5mm
Transistor Material	Si
Number of Elements per Chip	1
Length	5mm
Transistor Configuration	Single
Typical Turn-On Delay Time	8.2 ns
Brand	Infineon
Typical Turn-Off Delay Time	8.1 ns
Series	HEXFET
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage	2.35V
Minimum Gate Threshold Voltage	1.35V
Maximum Drain Source Resistance	12.5 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Pin Count	8
Category	Power MOSFET
Typical Gate Charge @ Vgs	8.3 nC @ 4.5 V
Channel Mode	Enhancement
Typical Input Capacitance @ Vds	1040 pF @ 15 V
Channel Type	N
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Forward Diode Voltage	1V
Вес, г	0.15

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

irf8721pbf.pdf
229,4 кБ

Аналоги и возможные замены

Акция

IRF8721PBF Полный аналог Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14А 2,5Вт Производитель: Infineon Technologies

Сообщить о поступлении

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка IRF8721TRPBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14А 2.5Вт в город Екатеринбург

Самовывоз из Екатеринбурга

от 1 раб. дня

Бесплатно

DPD РФ

от 1 раб. дня

от 227 ₽

Деловые линии

от 2 раб. дней

от 2145 ₽

EMS

от 1 раб. дня

от 620 ₽

Почта России

от 1 раб. дня

от 319 ₽

СДЭК

от 2 раб. дней

от 171 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

← PSMN4R8-100BSEJ IRLML6401GTRPBF →

IRF8721TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14А 2.5Вт

30,20 руб.

Технические параметры

Описание IRF8721TRPBF

Infineon Technologies

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

Способы доставки в Екатеринбург