CAS120M12BM2, Модуль силовой SiC MOSFET 2N-канальный 1200В 193A

Код товара: 411245

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
CAS120M12BM2
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET SiC 2N-CH 1200V 193A MODULE
Нормоупаковка:
1 шт
Корпус:
Module
Тип транзистора:
2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности:
Silicon Carbide (SiC)
Напряжение сток-исток:
1200V (1.2kV)
Ток стока (непрерывный):
193A
Мощность Макс.:
925W

Технические параметры

Тип транзистора

2 N-Channel (Half Bridge)

Особенности

Silicon Carbide (SiC)

Напряжение сток-исток

1200V (1.2kV)

Ток стока (непрерывный)

193A

Мощность Макс.

925W

Корпус

Module

Описание CAS120M12BM2

Модуль силовой SiC MOSFET 2N-канальный 1200В 193A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка CAS120M12BM2 , Модуль силовой SiC MOSFET 2N-канальный 1200В 193A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 144
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.