IPP072N10N3GXKSA1, транзистор mosfet n-ch 100v 80a [to-220-3]
![IPP072N10N3GXKSA1, Транзистор MOSFET N-CH 100V 80A [TO-220-3]](https://www.promelec.ru/assets/ws2-bc715fc5/img/no-photo.svg)
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Транзистор MOSFET N-CH 100V 80A [TO-220-3]
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IPP072N10N3GXKSA1
Технические параметры
-
Нормоупаковка50 шт.
Описание IPP072N10N3GXKSA1
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 80 А |
| Тип корпуса | TO-220 |
| Максимальное рассеяние мощности | 150 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 15.95мм |
| Высота | 4.57мм |
| Размеры | 10.36 x 15.95 x 4.57мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 10.36мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 19 нс |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 37 нс |
| Серия | OptiMOS 3 |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 7,2 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| Число контактов | 3 |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 51 нКл при 10 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 3690 пФ при 50 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 2.8 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара