IRF100B202, транзистор mosfet n-канал 100в 97а [to-220аb]
![IRF100B202, Транзистор MOSFET N-канал 100В 97А [TO-220АB]](/fs/cache/08/b7/58/07/21efc49d4cd24272c1c70857.jpg "IRF100B202")
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 100V TO-220AB
Транзистор MOSFET N-канал 100В 97А [TO-220АB]
Транзистор MOSFET N-канал 100В 97А [TO-220АB]
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRF100B202
Описание IRF100B202
МОП-транзистор TRENCH_МОП-транзисторS
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 97 A |
| Тип корпуса | TO-220 |
| Максимальное рассеяние мощности | 221 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 4.83мм |
| Прямая активная межэлектродная проводимость | 123S |
| Высота | 16.51мм |
| Размеры | 10.67 x 4.83 x 16.51мм |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 10.67мм |
| Типичное время задержки включения | 11 ns |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 55 нс |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 8,6 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| Число контактов | 3+Tab |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 77 нКл при 10 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 4476 пФ при 50 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Прямое напряжение диода | 1.3V |
| Вес, г | 2.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара