IRLR6225TRPBF, Транзистор полевой 20В 100A 4.0мОм 2.5В
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IRLR6225TRPBF
Описание Eng:
MOSFET, 20V, 100A, 4.0 MOHM, 2.5V DRIVE CAPABLE
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
В упаковке:
2000 шт
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
100А
Сопротивление открытого канала:
4мОм
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образец
Цена от:
77,76 ₽
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 22+ 43+ 85+ 170+102,18 ₽ 93,83 ₽ 87,20 ₽ 81,79 ₽ 77,76 ₽Срок:В наличииНаличие:177Минимум:3Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 22+ 43+ 85+ 170+102,18 ₽ 93,83 ₽ 87,20 ₽ 81,79 ₽ 77,76 ₽Срок:В наличииНаличие:47Минимум:1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Показать аналоги
Технические параметры
Описание IRLR6225TRPBF
N-Channel Power MOSFET 12V to 25V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Package Type | DPAK (TO-252) |
| Maximum Power Dissipation | 63 W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Width | 7.49mm |
| Forward Transconductance | 205s |
| Height | 2.39mm |
| Dimensions | 6.73 x 7.49 x 2.39mm |
| Transistor Material | Si |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 6.73mm |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Turn-On Delay Time | 9.7 ns |
| Brand | Infineon |
| Typical Turn-Off Delay Time | 63 ns |
| Series | HEXFET |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 5.2 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Pin Count | 3 |
| Category | Power MOSFET |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 48 nC @ 4.5 V |
| Channel Mode | Enhancement |
| Typical Input Capacitance @ Vds | 3770 pF @ 10 V |
| Channel Type | N |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Вес, г | 0.4 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Разрешительная документация
Товар не подлежит обязательной сертификации и декларированию.
Аналоги и возможные замены
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IRLR6225TRPBF , Транзистор полевой 20В 100A 4.0мОм 2.5В
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2334 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 2 раб. дней
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара