IRF2805STRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK]
![IRF2805STRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK]](/fs/cache/44/29/ff/fa/de4592237b0ab5b4254ff46e.jpg "IRF2805STRLPBF")
*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта
Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK]
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRF2805STRLPBF
Технические параметры
-
КорпусD2PAK/TO263
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка800 шт
-
Вес брутто1.7 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание IRF2805STRLPBF
Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK]
МОП-транзистор MOSFT 55V 135A 4.7mOhm 150nC
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 135 A |
| Тип корпуса | D2PAK (TO-263) |
| Максимальное рассеяние мощности | 200 W |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 9.65мм |
| Высота | 4.83мм |
| Размеры | 10.67 x 9.65 x 4.83мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 10.67мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 14 ns |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 68 нс |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 4,7 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 55 В |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 150 нКл |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 5110 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 2.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара