IRF2805STRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK]

*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта

Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK]
Код товара: 432927
Дата обновления: 07.12.2022 23:15
Адрес доставки
Для расчета срока и стоимости доставки, пожалуйста, выберите страну/регион/населенный пункт.
Доставка IRF2805STRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK] в Екатеринбург

Технические параметры

  • Корпус
    D2PAK/TO263
  • Тип упаковки
    Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка
    800 шт
  • Вес брутто
    1.7 г.
  • Напряжение исток-сток макс.
  • Ток стока макс.
  • Сопротивление открытого канала
  • Мощность макс.
  • Тип транзистора
  • Особенности
  • Пороговое напряжение включения макс.
  • Заряд затвора
  • Входная емкость
  • Тип монтажа

Описание IRF2805STRLPBF

Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK]

МОП-транзистор MOSFT 55V 135A 4.7mOhm 150nC

Максимальная рабочая температура+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока135 A
Тип корпусаD2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности200 W
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Ширина9.65мм
Высота4.83мм
Размеры10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистораКремний
Количество элементов на ИС1
Длина10.67мм
Transistor ConfigurationОдинарный
Типичное время задержки включения14 ns
ПроизводительInfineon
Типичное время задержки выключения68 нс
СерияHEXFET
Минимальная рабочая температура-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Максимальное сопротивление сток-исток4,7 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток55 В
Число контактов3
КатегорияМощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs150 нКл
Номер каналаПоднятие
Типичная входная емкость при Vds5110 пФ при 25 В
Тип каналаN
Максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
Вес, г2.5

Хотите получить образцы?
Заказать образец