FDD6N50TM, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A DPAK

Код товара: 438805

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FDD6N50TM
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
6A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
900 мОм @ 3А, 10В
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

500В

Ток стока макс.

6A(Tc)

Сопротивление открытого канала

900 мОм @ 3А, 10В

Мощность макс.

89Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Standard

Пороговое напряжение включения макс.

5В @ 250 µA

Заряд затвора

16.6нКл @ 10В

Входная емкость

9400пФ @ 25В

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

DPAK/TO-252AA

Описание FDD6N50TM

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A DPAK

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Аналоги и возможные замены

FDD6N50TM-F085 Полный аналог Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A Производитель: ON Semiconductor

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка FDD6N50TM , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A DPAK в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 139
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.