IPD60R1K4C6ATMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IPD60R1K4C6ATMA1
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 600V, 3.2A, TO-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.2A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):1.26ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; P
Нормоупаковка:
2500 шт
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
3.2А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Цена от:
48,86 руб.
Внешние склады
-
147+ 213+ 426+ 2130+59,66 ₽ 51,45 ₽ 50,15 ₽ 48,86 ₽Срок:25 днейНаличие:2 500Минимум:Мин: 147Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IPD60R1K4C6ATMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IPD60R1K4C6ATMA1 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 157 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара