NTMFS5C670NLT1G, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 68A
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
NTMFS5C670NLT1G
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET NFET SO8FL 60V 68A 6.7MOH
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
1500 шт
Цена от:
18,03 руб.
Внешние склады
-
409+ 593+ 1190+21,45 ₽ 18,50 ₽ 18,03 ₽Срок:25 днейНаличие:4 500Минимум:Мин: 409Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание NTMFS5C670NLT1G
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Вес изделия | 107.200 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 61 W |
| Время спада | 4 ns |
| Время нарастания | 60 ns |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 71 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8.8 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Qg - заряд затвора | 20 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-channel |
| Типичное время задержки выключения | 15 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 82 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NTMFS5C670NLT1G , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 68A
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 579 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2387 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 1756 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 933 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 546 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара