NVMFS6H836NT1G, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
85,33 руб.
Нет в наличии
Описание NVMFS6H836NT1G
| Упаковка | Reel |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка / блок | DFN-5 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 89 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Время спада | 34 ns |
| Время нарастания | 45 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 80 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6.7 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 41 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 25 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 97 S |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NVMFS6H836NT1G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 144 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара