STP20NM50FD, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20A
Цена от:
477,72 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 2+ 3+ 6+ 12+568,75 ₽ 535,79 ₽ 513,74 ₽ 492,98 ₽ 477,72 ₽Срок:В наличииНаличие:49Минимум:1Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 2+ 3+ 6+ 12+568,75 ₽ 535,79 ₽ 513,74 ₽ 492,98 ₽ 477,72 ₽Срок:В наличииНаличие:3Минимум:1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание STP20NM50FD
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Серия | STP20NM50FD |
| ECCN | EAR99 |
| Коммерческое обозначение | FDmesh |
| Вес изделия | 1.438 g |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Упаковка | Tube |
| Тип | MOSFET |
| Длина | 10.4 mm |
| Ширина | 4.6 mm |
| Высота | 9.15 mm |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 192 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 250 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 56 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 15 ns |
| Время нарастания | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 22 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STP20NM50FD , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20A
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
от 1 раб. дня
от 136 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара