STF16N60M2, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
83,26 руб.
Нет в наличии
Описание STF16N60M2
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
|---|---|
| Серия | STF16N60M2 |
| Вес изделия | 330 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | Power MOSFET |
| Тип | MDmesh M2 |
| Упаковка | Tube |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 16.4 mm |
| Ширина | 10.4 mm |
| Высота | 4.6 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Время спада | 18.5 ns |
| Время нарастания | 9.5 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 320 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 19 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 58 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10.5 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка STF16N60M2
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 345 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2304 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1548 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 4 раб. дней
от 743 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара