STB33N60DM2, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Код товара: 512802

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
STB33N60DM2
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 600V 24A MDMESH DM2 D2PAK
Нормоупаковка:
1000 шт
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
25А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

600В

Ток стока макс.

25А

Тип транзистора

N-канальный

Тип монтажа

Surface Mount

Описание STB33N60DM2

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

BrandSTMicroelectronics
Тип каналаN
Максимальный непрерывный ток стока25 А
Максимальное напряжение сток-исток650 В
Тип корпусаD2PAK (TO-263)
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Число контактов3
Максимальное сопротивление сток-исток130 мΩ
Номер каналаПоднятие
Максимальное пороговое напряжение включения5V
Минимальное пороговое напряжение включения3V
Максимальное рассеяние мощности190 Вт
Конфигурация транзистораОдинарный
Максимальное напряжение затвор-исток-25 В, +25 В
Количество элементов на ИС1
СерияMDmesh DM2
Минимальная рабочая температура-55 °C
Максимальная рабочая температура+150 °C
Длина10.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs47 нКл при 10 В
Высота4.6мм
Ширина9.35мм
Материал транзистораКремний
Прямое напряжение диода1.6V

Способы доставки в Калининград

Доставка STB33N60DM2 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 351
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2457
EMS
от 5 раб. дней
от 1548
Почта России
от 17 раб. дней
от 720
СДЭК
от 4 раб. дней
от 832
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.