STP45N40DM2AG, Транзистор MOSFET одиночный

Код товара: 536273

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
STP45N40DM2AG
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 400V, 38A, TO220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:38A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):0.063ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power
Нормоупаковка:
50 шт

Описание STP45N40DM2AG

Упаковка / блокTO-220-3
СерияSTP45N40DM2AG
КвалификацияAEC-Q101
Вес изделия330 mg
ECCNEAR99
ПродуктPower MOSFET
ТипHigh Voltage
Вид монтажаThrough Hole
Количество каналов1 Channel
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Длина15.75 mm
Ширина10.4 mm
Высота4.6 mm
КонфигурацияSingle
ТехнологияSi
Коммерческое обозначениеMDmesh
Pd - рассеивание мощности250 W
Время спада9.8 ns
Время нарастания6.7 ns
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток400 V
Id - непрерывный ток утечки38 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток72 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Qg - заряд затвора56 nC
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel Power MOSFET
Типичное время задержки выключения68 ns
Типичное время задержки при включении20 ns

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка STP45N40DM2AG в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 231
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 1312
Почта России
от 1 раб. дня
от 495
СДЭК
от 2 раб. дней
от 264
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.