STP45N40DM2AG, Транзистор MOSFET одиночный
Цена от:
529,08 руб.
Внешние склады
-
14+ 20+ 39+ 193+646,12 ₽ 557,17 ₽ 543,12 ₽ 529,08 ₽Срок:25 днейНаличие:200Минимум:Мин: 14Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание STP45N40DM2AG
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
|---|---|
| Серия | STP45N40DM2AG |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Вес изделия | 330 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | Power MOSFET |
| Тип | High Voltage |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 15.75 mm |
| Ширина | 10.4 mm |
| Высота | 4.6 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Время спада | 9.8 ns |
| Время нарастания | 6.7 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 400 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 38 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 72 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 56 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 68 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STP45N40DM2AG
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 231 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 1312 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 495 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 264 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара