DTC114EE, Корпус SOT523, Транзистор биполярный NPN, Р=150 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30, Встроенное Rб 10 кОм, Встроенное Rбэ 10 кОм, Примечание Small Signal Bipolar Transistor
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
DTC114EE
Производитель:
Описание Eng:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased Transistor 50V 100mA 150mW Surface Mount SOT-523
Нормоупаковка:
1 шт
Цена от:
1,09 руб.
Внешние склады
-
566+ 4688+ 9376+ 18752+ 376081+1,26 ₽ 1,20 ₽ 1,18 ₽ 1,11 ₽ 1,09 ₽Срок:5 днейНаличие:376 081Минимум:Мин: 566Количество в заказ
-
3456+ 5013+ 10074+ 50174+2,62 ₽ 2,26 ₽ 2,21 ₽ 2,15 ₽Срок:25 днейНаличие:54 000Минимум:Мин: 3 456Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание DTC114EE
Корпус SOT523, Транзистор биполярный NPN, Р=150 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30, Встроенное Rб 10 кОм, Встроенное Rбэ 10 кОм, Примечание Small Signal Bipolar Transistor
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка DTC114EE , Корпус SOT523, Транзистор биполярный NPN, Р=150 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30, Встроенное Rб 10 кОм, Встроенное Rбэ 10 кОм, Примечание Small Signal Bipolar Transistor
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 346 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2461 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 1408 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 561 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 313 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара