SCT10N120, Транзистор на основе карбида кремния
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
SCT10N120
Описание Eng:
MOSFET Transistor Silicon carbide Power MOSFET Transistor 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package
В упаковке:
30 шт
Корпус:
HiP247[тм]
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
627,13 руб.
Нет в наличии
Описание SCT10N120
| Упаковка / блок | HiP-247-3 |
|---|---|
| Серия | SCT10N120 |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Tube |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Конфигурация | Single |
| Технология | SiC |
| Коммерческое обозначение | HiP247a?? |
| Pd - рассеивание мощности | 150 W |
| Время спада | 17 ns |
| Время нарастания | 12 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.2 kV |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 500 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
| Qg - заряд затвора | 22 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 14 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Разрешительная документация
Товар не подлежит обязательной сертификации и декларированию.
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SCT10N120
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2392 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара