IPN95R3K7P7ATMA1
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IPN95R3K7P7ATMA1
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET Transistor LOW POWER_NEW
Нормоупаковка:
3000 шт
Цена от:
56,16 руб.
Внешние склады
-
128+ 186+ 371+ 1853+68,57 ₽ 59,14 ₽ 57,65 ₽ 56,16 ₽Срок:25 днейНаличие:3 000Минимум:Мин: 128Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание IPN95R3K7P7ATMA1
| Серия | P7 |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Вес изделия | 116.100 mg |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | SOT-223-3 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 6 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 950 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 2 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.7 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 6 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 40 ns |
| Время нарастания | 23 ns |
| Типичное время задержки выключения | 46 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IPN95R3K7P7ATMA1
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара