NTMFS5H600NLT1G, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35А
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
NTMFS5H600NLT1G
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
94 шт
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
35А
Тип транзистора:
N-канальный
Цена от:
0,00 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание NTMFS5H600NLT1G
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Серия | NTMFS5H |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 112.540 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 160 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 250 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.1 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Qg - заряд затвора | 89 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 160 ns |
| Время нарастания | 130 ns |
| Типичное время задержки выключения | 88 ns |
| Типичное время задержки при включении | 28 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 280 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NTMFS5H600NLT1G , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35А
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
от 1 раб. дня
от 136 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара