BTS3410G, N channel vertical power FET in Smart SIPMOS technology. Fully protected. 42 V, 1.3 A, 190 m?

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

N channel vertical power FET in Smart SIPMOS technology. Fully protected. 42 V, 1.3 A, 190 m?

Infineon-BTS3410G-DS-v01_03-EN pdf, 290,5 кБ

Код товара: 562044

Дата обновления: 27.04.2024 16:10

Цена от: 98,00 руб.

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка BTS3410G , N channel vertical power FET in Smart SIPMOS technology. Fully protected. 42 V, 1.3 A, 190 m? в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

PG-DSO-8
Тип упаковки

Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка

2500 шт
Вес брутто

0.1 г.

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← MIC2090-1YM5-TR TPS2065DR →