STW56N60M2, Транзистор MOSFET одиночный
Цена от:
175,13 руб.
Нет в наличии
Описание STW56N60M2
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
|---|---|
| Серия | STW56N60M2 |
| Вес изделия | 38 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Tube |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Pd - рассеивание мощности | 350 W |
| Время спада | 14 ns |
| Время нарастания | 26.5 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 52 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 55 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 91 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 119 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STW56N60M2
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 150 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара