SQ2364EES-T1_GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В SOT-23
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
SQ2364EES-T1_GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CHAN 60V SOT-23
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Цена от:
24,20 руб.
Внешние склады
-
297+ 433+ 863+ 4301+29,55 ₽ 25,49 ₽ 24,84 ₽ 24,20 ₽Срок:25 днейНаличие:6 000Минимум:Мин: 297Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание SQ2364EES-T1_GE3
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 42 mg |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 3 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 2 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 240 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 460 mV |
| Qg - заряд затвора | 2.5 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время спада | 13 ns |
| Время нарастания | 11 ns |
| Типичное время задержки выключения | 26 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 8.8 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SQ2364EES-T1_GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В SOT-23
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара