STF28N60DM2, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STF28N60DM2
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 600V, 21A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.13ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Pow
Нормоупаковка:
1000 шт
Цена от:
143,02 руб.
Внешние склады
-
51+ 73+ 146+ 728+174,65 ₽ 150,61 ₽ 146,81 ₽ 143,02 ₽Срок:25 днейНаличие:1 000Минимум:Мин: 51Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание STF28N60DM2
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | STF28N60DM2 |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 2.300 g |
| ECCN | EAR99 |
| Конфигурация | Single |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Pd - рассеивание мощности | 30 W |
| Время нарастания | 7.3 ns |
| Время спада | 9.3 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 21 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 130 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 34 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 53 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STF28N60DM2
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 144 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара