SISS67DN-T1-GE3, Позиция под заказ
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
SISS67DN-T1-GE3
Производитель:
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
0,00 руб.
Нет в наличии
Описание SISS67DN-T1-GE3
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | SIS |
| ECCN | EAR99 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Вес изделия | 286.100 mg |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8S-8 |
| Pd - рассеивание мощности | 65.8 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 60 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.6 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 74 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 18 ns |
| Время нарастания | 25 ns |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SISS67DN-T1-GE3
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2336 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара