NVMYS8D0N04CTWG, MOSFET – Power, Single N-Channel 40 V, 8.1 mOhm , 49 A
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
NVMYS8D0N04CTWG
Производитель:
Описание Eng:
NVMYS8D0N04CTWG
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
49А
Сопротивление открытого канала:
8.1мОм
Тип транзистора:
N-канальный
Цена от:
0,00 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание NVMYS8D0N04CTWG
| Brand | onsemi |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 49 А |
| Максимальное напряжение сток-исток | 40 В |
| Тип корпуса | LFPAK |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 4 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 8,1 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 3.5V |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 2.5V |
| Максимальное рассеяние мощности | 38 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | ±20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Высота | 1.15мм |
| Ширина | 4.25мм |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Прямое напряжение диода | 1.2V |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Автомобильный стандарт | AEC-Q101 |
| Длина | 5мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 10 нКл при 10 В |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NVMYS8D0N04CTWG , MOSFET – Power, Single N-Channel 40 V, 8.1 mOhm , 49 A
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 281 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 611 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 324 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 196 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара