SQJ431EP-T1_GE3, Позиция под заказ
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
SQJ431EP-T1_GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, AEC-Q101, P-CH, -200V, -12A; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-12A; Drain Source Voltage Vds:-200V; On Resistance Rds(on):0.178ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-
Нормоупаковка:
10 шт
Цена от:
0,00 руб.
Нет в наличии
Описание SQJ431EP-T1_GE3
| Вес изделия | 506.600 mg |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Серия | SQ |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Длина | 6.15 mm |
| Ширина | 5.13 mm |
| Высота | 1.04 mm |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8-4 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 83 W |
| Время спада | 10 ns |
| Время нарастания | 11 ns |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 213 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 71 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 44 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 16 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка SQJ431EP-T1_GE3
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 345 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2304 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1548 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 4 раб. дней
от 832 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара