SQJ431EP-T1_GE3, Позиция под заказ

Код товара: 603757

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SQJ431EP-T1_GE3
Описание Eng:
MOSFET, AEC-Q101, P-CH, -200V, -12A; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-12A; Drain Source Voltage Vds:-200V; On Resistance Rds(on):0.178ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-
В упаковке:
10 шт

Описание SQJ431EP-T1_GE3

Вес изделия506.600 mg
ECCNEAR99
УпаковкаReel, MouseReel, Cut Tape
СерияSQ
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Длина6.15 mm
Ширина5.13 mm
Высота1.04 mm
Упаковка / блокPowerPAK-SO-8-4
Коммерческое обозначениеTrenchFET
Вид монтажаSMD/SMT
ТехнологияSi
КонфигурацияSingle
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности83 W
Время спада10 ns
Время нарастания11 ns
Полярность транзистораP-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток200 V
Id - непрерывный ток утечки12 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток213 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
Qg - заряд затвора71 nC
Канальный режимEnhancement
Типичное время задержки выключения44 ns
Типичное время задержки при включении15 ns
КвалификацияAEC-Q101
Тип транзистора1 P-Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.16 S

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка SQJ431EP-T1_GE3 в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 290
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2334
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.