IRF7301TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 5.2 А

Name: IRF7301TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 5.2 А
Brand: Infineon Technologies
SKU: 66288
Availability: InStock

Код товара: 66288

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:

IRF7301TRPBF

Производитель:

Описание Eng:

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC

Тип упаковки:

Tape and Reel (лента в катушке)

Нормоупаковка:

4000 шт

Корпус:

SOIC8

Статус:

Obsolete

Тип транзистора:

2N-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

20 В

Ток стока макс.:

5.2 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

2 Вт

Все характеристики
Документация и сертификаты
Описание

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: 2SDnjeoH2LN

Расширили ассортимент до 600 000 позиций

Показать аналоги

Технические параметры

Тип транзистора

2N-канальный

Особенности

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.

20 В

Ток стока макс.

5.2 А

Максимальная рассеиваемая мощность

2 Вт

Корпус

SOIC8

Вес брутто

0.23 г.

Подобрать похожие

Описание IRF7301TRPBF

The IRF7301TRPBF is a dual N-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Generation V technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching performance

Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока	5,2 А
Тип корпуса	SOIC
Максимальное рассеяние мощности	2 Вт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Ширина	4мм
Высота	1.5мм
Размеры	5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	2
Длина	5мм
Transistor Configuration	Изолированный
Типичное время задержки включения	9 нс
Производитель	Infineon
Типичное время задержки выключения	32 нс
Серия	HEXFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage	0.7V
Minimum Gate Threshold Voltage	0.7V
Максимальное сопротивление сток-исток	70 мОм
Максимальное напряжение сток-исток	20 V
Число контактов	8
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	20 нКл при 4,5 В
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	660 pF @ 15 V
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-12 V, +12 V
Вес, г	0.15

Полезная информация

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

irf7301pbf.pdf
225,1 кБ

Аналоги и возможные замены

Акция

IRF7301PBF Полный аналог Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 20 В, 5.2 А,2 Вт,0.05 Ом Производитель: Infineon Technologies

Наличие:

157 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 35,06₽

IRF7301TRPBF Полный аналог Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 5.2 А Производитель: VBsemi Semiconductor (Taiwan) Co., Ltd.

Сообщить о поступлении

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка IRF7301TRPBF , Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 5.2 А в город Екатеринбург

Самовывоз из Екатеринбурга

от 1 раб. дня

Бесплатно

DPD РФ

от 1 раб. дня

от 227 ₽

Деловые линии

от 2 раб. дней

от 2145 ₽

EMS

от 1 раб. дня

от 620 ₽

Почта России

от 1 раб. дня

от 319 ₽

СДЭК

от 2 раб. дней

от 171 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

← IRF7105PBF IRF7304PBF →

IRF7301TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 5.2 А

36,53 руб.

Технические параметры

Описание IRF7301TRPBF

Полезная информация

Infineon Technologies

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

Способы доставки в Екатеринбург