IRF7301TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 5.2 А
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
40,58 руб.
-
1+ 36+ 72+ 143+ 285+55,17 ₽ 50,19 ₽ 46,24 ₽ 43,01 ₽ 40,58 ₽Срок:В наличииНаличие:491Минимум:6Количество в заказ
-
12+ 55+ 109+ 218+ 5000+100,53 ₽ 95,75 ₽ 94,15 ₽ 88,57 ₽ 86,97 ₽Срок:7 днейНаличие:5 000Минимум:Мин: 12Количество в заказ
-
14+ 55+101,25 ₽ 96,43 ₽Срок:7 днейНаличие:100Минимум:Мин: 14Количество в заказ
Технические параметры
Описание IRF7301TRPBF
The IRF7301TRPBF is a dual N-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.
• Generation V technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching performance
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 5,2 А |
| Тип корпуса | SOIC |
| Максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 4мм |
| Высота | 1.5мм |
| Размеры | 5 x 4 x 1.5мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Длина | 5мм |
| Transistor Configuration | Изолированный |
| Типичное время задержки включения | 9 нс |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 32 нс |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.7V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.7V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 70 мОм |
| Максимальное напряжение сток-исток | 20 V |
| Число контактов | 8 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 20 нКл при 4,5 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 660 pF @ 15 V |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -12 V, +12 V |
| Вес, г | 0.15 |
Полезная информация
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Аналоги и возможные замены
IRF7301PBF Полный аналог
Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 20 В, 5.2 А,2 Вт,0.05 Ом
