IRF7301TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 5.2 А

Name: IRF7301TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 5.2 А
Brand: Infineon Technologies
SKU: 66288
Availability: InStock

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

Obsolete

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC

Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 5.2 А

irf7301pbf pdf, 225,1 кБ

Код товара: 66288

Дата обновления: 25.04.2024 08:10

Цена от: 59,69 руб.

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка IRF7301TRPBF , Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 5.2 А в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

SOIC8
Тип упаковки

Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка

4000 шт
Вес брутто

0.23 г.
Тип транзистора

2N-канальный
Особенности

Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток

20 В
Маскимальный ток стока

5.2 А
Максимальная рассеиваемая мощность

2 Вт

Описание IRF7301TRPBF

The IRF7301TRPBF is a dual N-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Generation V technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching performance

Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока	5,2 А
Тип корпуса	SOIC
Максимальное рассеяние мощности	2 Вт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Ширина	4мм
Высота	1.5мм
Размеры	5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	2
Длина	5мм
Transistor Configuration	Изолированный
Типичное время задержки включения	9 нс
Производитель	Infineon
Типичное время задержки выключения	32 нс
Серия	HEXFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage	0.7V
Minimum Gate Threshold Voltage	0.7V
Максимальное сопротивление сток-исток	70 мОм
Максимальное напряжение сток-исток	20 V
Число контактов	8
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	20 нКл при 4,5 В
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	660 pF @ 15 V
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-12 V, +12 V
Вес, г	0.15

Полные аналоги

Наименование

Наличие

Цена от

Производитель

Корпус
IRF7301TRPBF MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC

Сообщить о поступлении

VBsemi

SOIC8
IRF7301PBF MOSFET N-CH Si 20V 5.2A 8-Pin SOIC Tube

Сообщить о поступлении

INF

SO-8

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← IRF7105PBF IRF7304PBF →