IRF7301TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 5.2 А

*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта

Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 5.2 А
Код товара: 66288
Дата обновления: 19.06.2021 11:10
Цена от: 29,75 руб.
Адрес доставки
Для расчета срока и стоимости доставки, пожалуйста, выберите страну/регион/населенный пункт.
Доставка IRF7301TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 5.2 А в Екатеринбург

Технические параметры

  • Корпус
    SOIC8
  • Тип упаковки
    Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка
    4000 шт.
  • Вес брутто
    0.2 г.
  • Тип транзистора
  • Максимальное напряжение сток-исток
  • Маскимальный ток стока
  • Максимальная рассеиваемая мощность

Описание IRF7301TRPBF

Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 5.2 А

The IRF7301TRPBF is a dual N-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. • Generation V technology• Ultra low ON-resistance• Surface-mount device• Dynamic dV/dt rating• Fast switching performance

Максимальная рабочая температура+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока5,2 А
Тип корпусаSOIC
Максимальное рассеяние мощности2 Вт
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Ширина4мм
Высота1.5мм
Размеры5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистораКремний
Количество элементов на ИС2
Длина5мм
Transistor ConfigurationИзолированный
Типичное время задержки включения9 нс
ПроизводительInfineon
Типичное время задержки выключения32 нс
СерияHEXFET
Минимальная рабочая температура-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage0.7V
Minimum Gate Threshold Voltage0.7V
Максимальное сопротивление сток-исток70 мОм
Максимальное напряжение сток-исток20 V
Число контактов8
КатегорияМощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs20 нКл при 4,5 В
Номер каналаПоднятие
Типичная входная емкость при Vds660 pF @ 15 V
Тип каналаN
Максимальное напряжение затвор-исток-12 V, +12 V
Вес, г0.15

Аналоги