IRF7343PBF, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 55 в, 4.7 а/3.4 а, 2 вт, 0.05 ом/0.105 ом
MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC Tube
Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 55 В, 4.7 А/3.4 А, 2 Вт, 0.05 Ом/0.105 Ом
Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 55 В, 4.7 А/3.4 А, 2 Вт, 0.05 Ом/0.105 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRF7343PBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSO-8
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка95 шт
-
Вес брутто0.2 г.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Маскимальный ток стока
-
Максимальная рассеиваемая мощность
Описание IRF7343PBF
Характеристики
Структура | n/p-канал |
---|---|
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55/-55 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.7/-3.4 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 50/105 |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
Крутизна характеристики, S | 7.9 |
Корпус | so8 |
Пороговое напряжение на затворе | -1/1 |
Полные аналоги
-
IRF7343TRPBF MOSFET N/P-CH 55V 8-SOICINFSO-8
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара