BFR193E6327, Биполярный транзистор NPN 12В 80мА 580мВт Кус 70-140 8ГГц
NPN СВЧ 8ГГц 12В/80мА/0.58 Вт
Биполярный транзистор NPN 12В 80мА 580мВт Кус 70-140 8ГГц
Биполярный транзистор NPN 12В 80мА 580мВт Кус 70-140 8ГГц
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
BFR193E6327
Документы:
Описание BFR193E6327
RF Bipolar Transistors, Infineon
Структура | npn |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 20 |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 12 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.08 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 50 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 8000 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.58 |
Корпус | sot-23 |
Вес, г | 0.05 |
Сообщите мне о поступлении товара