TP0604N3-G, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
TP0604N3-G
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET Transistor 40V 2 Ohm
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
1000 шт
Корпус:
TO-92-3
Цена от:
195,13 руб.
Внешние склады
-
38+ 54+ 108+ 539+238,30 ₽ 205,49 ₽ 200,31 ₽ 195,13 ₽Срок:25 днейНаличие:1 000Минимум:Мин: 38Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание TP0604N3-G
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Длина | 5.21 mm |
| Ширина | 4.19 mm |
| Высота | 5.33 mm |
| Вес изделия | 453.600 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 0.74 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Время спада | 6 ns |
| Id - непрерывный ток утечки | 430 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2 Ohms |
| Время нарастания | 7 ns |
| Типичное время задержки выключения | 10 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 400 mS |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка TP0604N3-G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара