IPDD60R125G7XTMA1, Позиция под заказ
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IPDD60R125G7XTMA1
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 600V, 20A, HDSOP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.108ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Pow
В упаковке:
1 шт
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
464,52 ₽
Нет в наличии
Описание IPDD60R125G7XTMA1
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | PG-HDSOP-10 |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 5 ns |
| Время нарастания | 5 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 120 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 125 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Qg - заряд затвора | 27 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 60 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IPDD60R125G7XTMA1
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 290 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2334 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара