MMUN2111LT1G, Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+10 кОм

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

PNP R1=10 KOm; R2=10 KOm

Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+10 кОм
Код товара: 68559
Дата обновления: 26.04.2024 00:10
Доставка MMUN2111LT1G , Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+10 кОм в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 4 раб. дней
от 724
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

  • Корпус
    SOT-23
  • Тип упаковки
    Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка
    3000 шт
  • Вес брутто
    0.03 г.
  • Тип транзистора
  • Напряжение КЭ Макс.
    50V
  • Мощность Макс.
  • Сопротивление резистора базы R1
    10k
  • Сопротивление резистора Э-База R2
    10k

Описание MMUN2111LT1G

The MMUN2111LT1G is a PNP Bipolar Digital Transistor designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors, a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device.

• Simplifies circuit design
• Reduces board space
• Reduces component count

Структураpnp с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин35
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.246
Корпусsot-23
Вес, г0.05

Полные аналоги
Хотите получить образцы?
Заказать образец