MJ11032G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 50 А, 350 Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Trans Darlington NPN 120V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 50 А, 350 Вт
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 50 А, 350 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
MJ11032G
Документы:
Описание MJ11032G
NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor
| Структура | npn darlington |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 120 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 120 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 50 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 1000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 300 |
| Корпус | то-3 |
| Вес, г | 18 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара