MMBTA06LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А, 0.225Вт

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

NPN 80V 0.5A

Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А, 0.225Вт
Код товара: 72169
Дата обновления: 26.04.2024 00:10
Доставка MMBTA06LT1G , Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А, 0.225Вт в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 4 раб. дней
от 724
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

  • Корпус
    SOT-23
  • Тип упаковки
    Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка
    3000 шт
  • Вес брутто
    0.03 г.
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение Колл-Эмитт. Макс
    80V
  • Ток коллектора Макс.
  • Мощность Макс.
  • Коэффициент усиления hFE
    100
  • Тип монтажа

Описание MMBTA06LT1G

The MMBTA06LT1G is a 80V NPN silicon Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is suitable for lower power surface mount applications.

• Halogen-free/BFR-free
• 80VDC Collector to base voltage (VCBO)
• 4VDC Emitter to base voltage (VEBO)
• 556°C/W Thermal resistance, junction to ambient

Структураnpn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.225
Корпусsot-23
Вес, г0.05

Полные аналоги
Хотите получить образцы?
Заказать образец