1N4448, Диод импульсный 75В 0.2А
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Диод 75V 0.2A
DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
Диод импульсный 75В 0.2А
Диод импульсный 75В 0.2А
Производитель:
Galaxy Microelectronics Co.,Ltd
Артикул:
1N4448
Документы:
Технические параметры
-
КорпусDO35
-
Тип упаковкиAmunition Pack (лента в коробке)
-
Нормоупаковка5000 шт
-
Вес брутто0.4 г.
-
Тип диода
-
Максимальное обратное напряжение (Vr)
-
Средний прямой ток (Io)
-
Максимальное прямое напряжение (Vf) при токе If
-
Быстродействие
-
Время восстановления (trr)
-
Ток утечки при Vr
Описание 1N4448
Характеристики
| Материал | кремний |
|---|---|
| Максимальное импульсное обратное напряжение, В | 120 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 0.15 |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток,А | 0.45 |
| Максимальный обратный ток,мкА 25гр | 5 |
| Максимальное прямое напряжение,В | 1 |
| при Iпр.,А | 0.1 |
| Максимальное время обратного восстановления,мкс | 0.004 |
| Рабочая температура,С | -65…150 |
| Способ монтажа | в отверст. |
| Корпус | do35 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 100 |
Полные аналоги
-
1N4448 DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35Наличие:49958 штМинимум:штЦена от:1,12 ₽DCDO35
-
1N4448 DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35ONSDO35
-
1N4448TAP DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35VISHAYDO35
-
1N4448TR Rectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.3A 4ns 2-Pin DO-35 T/RONSDO35
-
1N4448 A0 Diode Switching 100V 0.15A 2-Pin DO-35 AmmoTSC
-
1N4448 R0 Diode Switching 100V 0.15A 2-Pin DO-35 T/RTSC
-
1N4448 DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35DIOTECDO35
-
1N4448 DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35MCCDO35
-
1N4448 DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35MICDO35
-
1N4448,113 DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2NEXALF2
-
1N4448TR DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35VISHAYDO35
-
1N4448_ R2 _10001 DO 35/500mW/100V/Switching Diode/Ax.PANJIT
Сообщите мне о поступлении товара