NVB072N65S3, Транзистор MOSFET одиночный
Цена от:
637,69 руб.
Внешние склады
-
12+ 17+ 33+ 164+778,77 ₽ 671,55 ₽ 654,62 ₽ 637,69 ₽Срок:25 днейНаличие:800Минимум:Мин: 12Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание NVB072N65S3
| Коммерческое обозначение | SuperFET III |
|---|---|
| Вес изделия | 1.485 g |
| ECCN | EAR99 |
| Серия | SuperFET3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Упаковка / блок | D2PAK-3 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Время нарастания | 50 ns |
| Время спада | 32 ns |
| Pd - рассеивание мощности | 312 W |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 44 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 72 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 82 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 29.7 S |
| Типичное время задержки выключения | 65.9 ns |
| Типичное время задержки при включении | 26.3 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NVB072N65S3
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара