BD911, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 15 А, 90 Вт
Trans GP BJT NPN 100V 15A
Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 15 А, 90 Вт
Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 15 А, 90 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
BD911
Документы:
Описание BD911
The BD911 from STMicroelectronics is a through hole NPN complementary power transistors in TO-220 package. This device manufactured in epitaxial planar technology.
• Collector to emitter voltage (Vce) is 100V
• Collector current (Ic) is 15A
• Power dissipation (Pd) is 90W
• Collector to emitter saturation voltage of 3V at 10A collector current
• DC current gain (hFE) of 5 at 10A collector current
• Operating junction temperature range from 150°C
Структура | npn |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 100 |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 15 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 5 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 90 |
Корпус | to-220 |
Вес, г | 2.5 |
Сообщите мне о поступлении товара