SI7322ADN-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15.1A 1212-8
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
SI7322ADN-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 100V 15.1A 1212-8
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Цена от:
72,47 руб.
Внешние склады
-
100+ 146+ 291+ 1451+88,49 ₽ 76,31 ₽ 74,39 ₽ 72,47 ₽Срок:25 днейНаличие:3 000Минимум:Мин: 100Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание SI7322ADN-T1-GE3
| Вес изделия | 92.758 mg |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 26 W |
| Время спада | 13 ns |
| Время нарастания | 18 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 15.1 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 45 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 13 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 9 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6 ns |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 12 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SI7322ADN-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15.1A 1212-8
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара