FD300R17KE4PHOSA1, Позиция под заказ
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FD300R17KE4PHOSA1
Производитель:
Описание Eng:
Module Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) MEDIUM POWER 62MM
Цена от:
0,00 руб.
Нет в наличии
Описание FD300R17KE4PHOSA1
| Технология | Si |
|---|---|
| Серия | Chopper IGBT4 - E4 |
| Вес изделия | 340 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Screw Mount |
| Конфигурация | Single |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1700 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.95 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 300 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FD300R17KE4PHOSA1
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара