SIS110DN-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14.2A

Код товара: 800234

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SIS110DN-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 100V, 14.2A, 150DEG C, 24W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14.2A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.045ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage V
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8

Описание SIS110DN-T1-GE3

BrandVishay Siliconix
Тип каналаN
Максимальный непрерывный ток стока14,2 А
Максимальное напряжение сток-исток100 В
Тип корпуса1212
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Число контактов8
Максимальное сопротивление сток-исток70 мОм
Номер каналаПоднятие
Максимальное пороговое напряжение включения2V
Минимальное пороговое напряжение включения4V
Максимальное рассеяние мощности24 Вт
Конфигурация транзистораОдинарный
Максимальное напряжение затвор-исток±20 В
Количество элементов на ИС1
СерияTrenchFET
Минимальная рабочая температура-55 °C
Прямое напряжение диода1.2V
Высота1.07мм
Ширина3.15мм
Максимальная рабочая температура+150 °C
Материал транзистораКремний
Длина3.15мм
Типичный заряд затвора при Vgs8,5 нКл при 10 В
Страна происхожденияCN

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка SIS110DN-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14.2A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.