SIS110DN-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14.2A
Цена от:
41,82 руб.
Внешние склады
-
172+ 249+ 498+ 2488+51,06 ₽ 44,04 ₽ 42,93 ₽ 41,82 ₽Срок:25 днейНаличие:3 000Минимум:Мин: 172Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание SIS110DN-T1-GE3
| Brand | Vishay Siliconix |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 14,2 А |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| Тип корпуса | 1212 |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 8 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 70 мОм |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 2V |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 4V |
| Максимальное рассеяние мощности | 24 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | ±20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Серия | TrenchFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Прямое напряжение диода | 1.2V |
| Высота | 1.07мм |
| Ширина | 3.15мм |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Материал транзистора | Кремний |
| Длина | 3.15мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 8,5 нКл при 10 В |
| Страна происхождения | CN |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SIS110DN-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14.2A
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара