SIHB25N50E-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 26A
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
SIHB25N50E-GE3
Производитель:
Описание Eng:
Power MOSFET N-CH 500V 26A
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
50 шт
Корпус:
D2PAK-3
Цена от:
339,58 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 3+ 6+ 12+ 23+384,61 ₽ 371,92 ₽ 360,07 ₽ 348,65 ₽ 339,58 ₽Срок:В наличииНаличие:198Минимум:1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание SIHB25N50E-GE3
| Серия | E |
|---|---|
| Вес изделия | 2.200 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Время спада | 29 ns |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Время нарастания | 36 ns |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 550 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 26 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 145 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 57 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 57 ns |
| Типичное время задержки при включении | 19 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SIHB25N50E-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 26A
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара