MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт
Цена от:
2,07 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 450+ 900+ 1800+ 3000+4,19 ₽ 3,46 ₽ 2,89 ₽ 2,42 ₽ 2,07 ₽Срок:В наличииНаличие:30 241Минимум:72Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 450+ 900+ 1800+ 3000+4,19 ₽ 3,46 ₽ 2,89 ₽ 2,42 ₽ 2,07 ₽Срок:В наличииНаличие:215Минимум:12Количество в заказ
Внешние склады
-
211+ 1046+ 2093+ 6000+5,60 ₽ 5,33 ₽ 5,24 ₽ 4,93 ₽Срок:7 днейНаличие:6 000Минимум:Мин: 211Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание MMBT5551LT1G
The MMBT5551LT1G is an NPN Silicon High Voltage Transistor designed for requiring unique site and control change requirements. This transistor is PPAP capable and AEC-Q101 qualified.
• Halogen-free
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 180 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 160 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 80 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.225 |
| Корпус | sot-23 |
| Вес, г | 0.05 |
Полезная информация
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Аналоги и возможные замены
Наличие:
44 220 шт
Под заказ:
227 986 шт
Цена от:
от 0,49₽
Наличие:
20 938 шт
Под заказ:
158 538 шт
Цена от:
от 3,28₽
Наличие:
0 шт
Под заказ:
89 650 шт
Цена от:
от 0,88₽
Наличие:
0 шт
Под заказ:
50 000 шт
Цена от:
от 2,67₽
Наличие:
17 700 шт
Под заказ:
5 266 шт
Цена от:
от 1,89₽
Способы доставки в Калининград
Доставка MMBT5551LT1G , Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 400 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2363 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1574 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 733 ₽
СДЭК
от 3 раб. дней
от 832 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара