MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт

*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта

Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт
Код товара: 83129
Дата обновления: 24.06.2021 17:10
Цена от: 2,35 руб.
Адрес доставки
Для расчета срока и стоимости доставки, пожалуйста, выберите страну/регион/населенный пункт.
Доставка MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт в Екатеринбург

Технические параметры

  • Корпус
    SOT23-3
  • Тип упаковки
    Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка
    3000 шт.
  • Вес брутто
    0.05 г.
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение Колл-Эмитт. Макс
  • Ток коллектора Макс.
  • Мощность Макс.
    225 mW
  • Коэффициент усиления hFE
    80

Описание MMBT5551LT1G

Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт

The MMBT5551LT1G is an NPN Silicon High Voltage Transistor designed for requiring unique site and control change requirements. This transistor is PPAP capable and AEC-Q101 qualified.

• Halogen-free

Структураnpn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В180
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин80
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.225
Корпусsot-23
Вес, г0.05

Аналоги