MMBT5551LT1G, биполярный транзистор, npn, 180 в, 0.6 а, 0.225 вт

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

NPN 160V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт
Код товара: 83129
Дата обновления: 08.05.2024 16:10
Доставка MMBT5551LT1G , Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 4 раб. дней
от 724
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

  • Корпус
    SOT-23
  • Тип упаковки
    Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка
    3000 шт
  • Вес брутто
    0.05 г.
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение Колл-Эмитт. Макс
  • Ток коллектора Макс.
  • Мощность Макс.
  • Коэффициент усиления hFE
    80
  • Тип монтажа

Описание MMBT5551LT1G

The MMBT5551LT1G is an NPN Silicon High Voltage Transistor designed for requiring unique site and control change requirements. This transistor is PPAP capable and AEC-Q101 qualified.

• Halogen-free

Структураnpn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В180
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин80
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.225
Корпусsot-23
Вес, г0.05

Полные аналоги
Хотите получить образцы?
Заказать образец