MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт
Цена от:
1,08 руб.
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 450+ 900+ 1800+ 3000+4,03 ₽ 3,33 ₽ 2,78 ₽ 2,33 ₽ 1,99 ₽Срок:В наличииНаличие:80Минимум:13Количество в заказ
Внешние склады
-
203+ 1012+ 2025+ 5000+5,60 ₽ 5,33 ₽ 5,24 ₽ 4,93 ₽Срок:7 днейНаличие:5 000Минимум:Мин: 203Количество в заказ
-
6658+ 9662+ 19324+ 96714+1,32 ₽ 1,14 ₽ 1,11 ₽ 1,08 ₽Срок:25 днейНаличие:312 500Минимум:Мин: 6 658Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание MMBT5551LT1G
The MMBT5551LT1G is an NPN Silicon High Voltage Transistor designed for requiring unique site and control change requirements. This transistor is PPAP capable and AEC-Q101 qualified.
• Halogen-free
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 180 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 160 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 80 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.225 |
| Корпус | sot-23 |
| Вес, г | 0.05 |
Полезная информация
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Аналоги и возможные замены
Наличие:
0 шт
Под заказ:
135 166 шт
Цена от:
от 0,88₽
Наличие:
42 991 шт
Под заказ:
49 040 шт
Цена от:
от 0,47₽
Наличие:
0 шт
Под заказ:
50 000 шт
Цена от:
от 2,53₽
Наличие:
4 339 шт
Под заказ:
39 000 шт
Цена от:
от 2,16₽
Наличие:
19 301 шт
Под заказ:
7 000 шт
Цена от:
от 3,15₽
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка MMBT5551LT1G , Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 174 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара