BSR316PH6327XTSA1, Позиция под заказ
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
BSR316PH6327XTSA1
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, P-CH, -100V, -0.36A, SC-59-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-360mA; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):1.3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:
В упаковке:
1 шт
Цена от:
29,94 руб.
Нет в наличии
Описание BSR316PH6327XTSA1
| Продукт | MOSFETs |
|---|---|
| Тип | Small Signal Transistor |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 70 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 3 mm |
| Ширина | 1.6 mm |
| Высота | 1.1 mm |
| Упаковка / блок | PG-SC-59-3 |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 26 ns |
| Время нарастания | 6 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 360 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.8 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Qg - заряд затвора | 5.3 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 71 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 300 mS |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка BSR316PH6327XTSA1
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара
