STB33N65M2, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STB33N65M2
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 650V, 24A, 150°C, 190W;
Нормоупаковка:
1000 шт
Цена от:
454,99 руб.
Внешние склады
-
16+ 23+ 46+ 229+555,64 ₽ 479,14 ₽ 467,07 ₽ 454,99 ₽Срок:25 днейНаличие:1 000Минимум:Мин: 16Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание STB33N65M2
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | STB33N65M2 |
| ECCN | EAR99 |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Вес изделия | 4 g |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | D2PAK-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 190 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 24 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 140 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 41.5 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Время спада | 9 ns |
| Время нарастания | 11.5 ns |
| Типичное время задержки выключения | 72.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13.5 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STB33N65M2
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
от 1 раб. дня
от 143 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара