IKW50N60T
Цена от:
150,39 руб.
Внешние склады
-
4+ 11+ 22+ 200+531,95 ₽ 506,62 ₽ 498,17 ₽ 468,62 ₽Срок:7 днейНаличие:200Минимум:Мин: 4Количество в заказ
-
48+ 70+ 139+ 692+183,66 ₽ 158,38 ₽ 154,39 ₽ 150,39 ₽Срок:25 днейНаличие:1 936Минимум:Мин: 48Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание IKW50N60T
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
| Brand | Infineon |
|---|---|
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 100 А |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 600 В |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
| Максимальное рассеяние мощности | 333 Вт |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Число контактов | 3 |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Размеры | 16.03 x 21.1 x 5.16мм |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Минимальная рабочая температура | -40 °C |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IKW50N60T
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара